De la mémoire NAND Flash 3D à 290 couches chez Samsung dès le mois prochain

Samsung dévoilera prochainement sa mémoire V-NAND de 9ème génération. Il s’agira de mémoire NAND Flash 3D à 290 couches. Cette nouvelle mémoire succèdera (fort logiquement) à la V-NAND de 8ème génération à 232 couches qui a été lancé en 2022.

Samsung est parvenu à atteindre une telle densité grâce à des améliorations dans ses techniques d’empilement de couches de mémoire flash. A terme, cette nouvelle technologie devrait permettre à la firme coréenne de réduire les coûts et de proposer des SSD de plus grande capacité moins onéreux ce qui ne sera à priori que bénéfique pour les consommateurs que nous sommes…

Les premiers exemplaires de V-NAND de 9ème génération devrait débarquer dès le mois prochain.

En route pour la V-NAND de 10ème génération…

Parallèlement à cette annonce, le fabricant indique également plancher sur de la V-NAND de 10ème génération pour début 2025. Il s’agira cette fois de NAND Flash 3D de 430 couches.

Grâce à ce bon en avant de 140 couches supplémentaires par rapport à la V-NAND de 9ème génération cela devrait permettre à Samsung de rester dans la course face à ses concurrents que sont Kioxia, SK Hynix, Micron Technology et YMTC qui ambitionnent tous ensemble d’atteindre de la mémoire flash NAND 3D à 1.000 couches d’ici l’horizon 2030.